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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:50dB,
ISW-0018ST
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耦合器

8000-18000MHz耦合器,耦合度10dB,微带焊盘
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全正电,匹配式 SPDT

频率:0.1-20GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HGC127
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W SPDT

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:40dB,
HGC129
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GaAs FET开关

频率:0-19GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:61dB,
ISW-0019DT
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:34dB,1.49*0.977mm×mm
SIS030