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°两路功分器芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:17dB
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向耦合器芯片

频率:6-18GHz,损耗:0.6dB,耦合度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:6-18GHz,损耗:0.7dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:6-18GHz,损耗:14dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:6-18GHz,损耗:14dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:6-18GHz,损耗:0.6dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
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数控衰减器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.72dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1.75
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数控衰减器芯片

频率:12-18GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:6-18GHz,损耗:5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:6-18GHz,损耗:5.2dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:10-18GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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电调衰减器芯片

频率:12-22GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:-dB
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°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:18dB