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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.7-1.7GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:9.5dB
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MMIC巴伦

频率:0.8-2GHz,中心频率插损:6dB
BWBL-R8/2
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MMIC延时线

频率:0.8-4GHz,中心频率插损:14dB
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低噪声放大器芯片

频率:0.7-3GHz,增益:29dBm,输出功率:18dBm,噪声:1.6,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:0.8-3.5GHz,增益:28dBm,输出功率:12dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.7-1.7GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:9.5dB
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°两路功分器芯片

频率:0.8-2GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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°两路功分器芯片

频率:0.8-4GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.1dB,隔离度:14dB
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°三路功分器芯片

频率:0.8-2.7GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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GaN 功率放大器模块

频率:0.8-2GHz,最大增益9dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:0.8-3.5GHz,最大增益24dBm
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表面贴装无源双平衡混频器

频率:0.7-2GHz,最大增益11dBm
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无引线封装混频器

频率:0.7-1.7GHz,最大增益10dBm
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天线

0.8-12GHz螺旋天线,右旋圆极化,增益-5,SMA-K