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-
筛选项:
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数控衰减器芯片

频率:0-18GHz,损耗:2dB,射频端口:键合金丝,步进:32,最大衰减:32
NC1348C-118
...

数控衰减器芯片

频率:32-36GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,步进:30,最大衰减:30
NC13101C-3236
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-26GHz,损耗:2dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
NC1644C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
NC16103C-3040
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns
NC1602C-118A
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC1610C-1830
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
NC1647C-2227PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16102C-4050
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:8ns
NC1607C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1609C-120
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:90-96GHz,损耗:1.8dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
NC1683C-9096
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均衡器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1.8dB，均衡量：2.5dB
NC6013C-218
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:60dB,
ISW-0018DT
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耦合器

30-40GHz双定向耦合器，耦合度20dB，插损2dB，2.92-K
ZDC5-20M30-40G-635
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耦合器

30-40单定向耦合器，耦合度20dB，损耗2dB，2.92-K
ZDC5-20M30-40G-646
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匹配式 SPST

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:48dB,
HGC113

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