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低噪声放大器芯片

频率:12-18GHz,增益:29dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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MEMS带通滤波器

频率:12-18.5GHz,中心频率插损:1dB
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低噪声放大器芯片

频率:12-18GHz,增益:29dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:12-18GHz,增益:15dBm,输出功率:16dBm,噪声:2.8,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.72dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1.75
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数控衰减器芯片

频率:12-18GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:12-18GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:7dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:12-16GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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°电桥芯片

频率:12-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.2dB,隔离度:35dB
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°三路功分器芯片

频率:12-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:18dB
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无引线封装低噪声放大器

频率:12-18GHz,最大增益27dBm
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.8,限幅电平:17dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.9,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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隔离器

12000-18000GHz隔离器,SMA-K
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功分器

12-18GHz两路0°功分器,SMA-K
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功分器

12-18GHz两路0°功分器,SMA-K