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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.7-1.7GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:9.5dB
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硅基带通滤波器

频率:0.5-1.7GHz,中心频率插损:0.8dB
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LTCC带通滤波器

频率:1.15-1.9GHz,中心频率插损:1.5dB
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FBAR封装滤波器

频率:1.79-1.81GHz,中心频率插损:2dB
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FBAR封装滤波器

频率:1.82-1.84GHz,中心频率插损:2dB
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FBAR封装滤波器

频率:1.7-1.74GHz,中心频率插损:3dB
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滤波器模块

频率:1602-1762MHz
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滤波器模块

频率:1500-1800MHz
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功率放大器芯片

频率:1.3-1.9GHz,增益:17dBm,输出功率:21dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:1.3-1.9GHz,增益:9dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:1.5-1.8GHz,损耗:6dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.7-1.7GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:9.5dB
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多功能上变频芯片

单片混频多功能电路,频率:0-1.8GHz,LO/RF隔离度:18dB,变频损耗:dB
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预匹配功率管

频率:1.1GHz-1.7GHz,增益14dBm,输出功率:52dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:1.4GHz-1.7GHz,增益15dBm,输出功率:54dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:1.63GHz-1.73GHz,增益14dBm,输出功率:43.5dBm,射频端口:贴装焊接