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°两路功分器芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:17dB
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向耦合器芯片

频率:6-18GHz,损耗:0.6dB,耦合度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:6-18GHz,损耗:0.7dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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MMIC延时线

频率:6-18GHz,中心频率插损:5dB
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MMIC延时线

频率:6-18GHz,中心频率插损:6dB
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MMIC延时线

频率:6-18GHz,中心频率插损:8dB
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低噪声放大器芯片

频率:6-18GHz,增益:19dBm,输出功率:10dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:6-18GHz,增益:20dBm,输出功率:7dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-18GHz,增益:15.5dBm,输出功率:21dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-18GHz,增益:16dBm,输出功率:21.5dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-18GHz,增益:18dBm,输出功率:34.5dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-18GHz,增益:19dBm,输出功率:35dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-18GHz,增益:20dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-18GHz,增益:8dBm,输出功率:11dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-18GHz,增益:16dBm,输出功率:40dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:6-18GHz,损耗:14dB,射频端口:键合金丝,6位移相器