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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
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均衡器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1.4dB,均衡量:3.5dB
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均衡器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1.4dB,均衡量:2dB
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:50dB,
ISW-0018ST
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耦合器

8000-18000MHz耦合器,耦合度10dB,微带焊盘
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W SPDT

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:40dB,
HGC129