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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:8-18GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:12-18GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:7dB
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°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:-dB
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°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:18dB
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°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:18dB
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°电桥芯片

频率:12-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.2dB,隔离度:35dB
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°三路功分器芯片

频率:12-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:18dB
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向耦合器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1dB,耦合度:12dB,射频端口:键合金丝
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无引线封装低噪声放大器

频率:6-18GHz,最大增益20dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:12-18GHz,最大增益27dBm
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低噪声放大器模块

频率:1-18GHz,最大增益26dBm
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低噪声放大器模块

频率:1-18GHz,最大增益22dBm
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低噪声放大器模块

频率:1-18GHz,最大增益26dBm
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低噪声放大器模块

频率:2-18GHz,最大增益12dBm
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低噪声放大器模块

频率:6-18GHz,最大增益15dBm
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低噪声放大器模块

频率:6-18GHz,最大增益18dBm