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低噪声放大器芯片

频率:12-18GHz,增益:29dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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MEMS带通滤波器

频率:12-18.5GHz,中心频率插损:1dB
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MEMS高通滤波

频率:8-20GHz,中心频率插损:1.5dB
SIMF8H-11E
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低噪声放大器芯片

频率:9-19GHz,增益:25dBm,输出功率:13.5dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:9-19GHz,增益:25dBm,输出功率:13.5dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:10-20GHz,增益:14dBm,输出功率:7dBm,噪声:3,射频端口:键合金丝
...

低噪声放大器芯片

频率:12-18GHz,增益:29dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:12-18GHz,增益:15dBm,输出功率:16dBm,噪声:2.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:12-19GHz,增益:26dBm,输出功率:3dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:12-19GHz,增益:26dBm,输出功率:3dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:10-18GHz,增益:19dBm,输出功率:43dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:10-18GHz,增益:13dBm,输出功率:25dBm,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.72dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1.75
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数控衰减器芯片

频率:12-18GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:10-18GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns