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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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微波开关模块

频率:15-28GHz
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数控衰减器芯片

频率:32-36GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,步进:30,最大衰减:30
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数控衰减器芯片

频率:34-36GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:25-27GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:1.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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限幅器芯片

频率:29-32GHz,损耗:1,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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隔离器

20-30GHz隔离器,2.92-K,隔离16,损耗1
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耦合器

12-18GHz双定向耦合器,耦合度20dB,SMA-K,功率容量10W
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耦合器

34-36GHz耦合器,30dB,2.92-K
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耦合器

34-36GHz耦合器,30dB,2.92-K
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耦合器

8000-18000MHz耦合器,耦合度10dB,微带焊盘
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耦合器

8-18GHz双定向耦合器,耦合度20dB,损耗1.2dB,SMA-K