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GaAs超宽带分布式放大器

频率:1-20GHz,最大增益:12dB,输出功率:30dBm,10V,320mA
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MEMS高通滤波

频率:7.6-20GHz,中心频率插损:1.5dB
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MEMS高通滤波

频率:8-20GHz,中心频率插损:1.5dB
SIMF8H-11E
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MMIC高通滤波器

频率:3-21GHz
BWHF-3G
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低噪声放大器芯片

频率:9-19GHz,增益:25dBm,输出功率:13.5dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:9-19GHz,增益:25dBm,输出功率:13.5dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:10-20GHz,增益:14dBm,输出功率:7dBm,噪声:3,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:5-20GHz,增益:22dBm,输出功率:20dBm,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:1-20GHz,损耗:0.7dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:1.75
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:6-20GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:7-25GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:7-25GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:10-20GHz,LO/RF隔离度:16dB,变频损耗:9.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:10-20GHz,LO/RF隔离度:16dB,变频损耗:9.5dB
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滤波器芯片

高通频率:4.5-20GHz,损耗:1.9dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝