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-
筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1646C-120
...

数控衰减器芯片

频率:18-26GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,步进:10,最大衰减:20
NC13112C-1826
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-26GHz,损耗:2dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
NC1644C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC1610C-1830
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
NC1647C-2227PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1609C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1624C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:20dB,开关时间:10ns
NC1625C-120
...

开关芯片

#REF!
HG126KB
...

匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HGC112PD
...

全正电，匹配式 SPT

频率:0.1-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HGC120
...

单刀双掷

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:45dB,
HGC114LP3
...

开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HG166KB
...

数控衰减器芯片

频率:1-20GHz,插入损耗:2dB,步进:32dBm,芯片尺寸：1.05*0.8*0.1
AMAT0005S

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