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MEMS带通滤波器

频率:2.38-2.9GHz,中心频率插损:2dB
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MEMS带通滤波器

频率:2.55-2.95GHz,中心频率插损:2.1dB
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硅基带通滤波器

频率:2.55-2.85GHz,中心频率插损:2dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.45-2.47GHz,中心频率插损:2.5dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.49-2.5GHz,中心频率插损:4dB
FBF2492T8
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FBAR滤波器芯片

频率:2.49-2.5GHz,中心频率插损:5dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.55-2.57GHz,中心频率插损:2.5dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.48-2.5GHz,中心频率插损:2dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.39-2.41GHz,中心频率插损:2dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.48-2.53GHz,中心频率插损:2dB
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功率放大器芯片

频率:2.3-2.5GHz,增益:26dBm,输出功率:39dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.3-2.5GHz,增益:26dBm,输出功率:39dBm,射频端口:键合金丝
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预匹配功率管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益13dBm,输出功率:47dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:2.3GHz-2.5GHz,增益12dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:2.3-2.5GHz,最大增益40dBm
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益13.5dBm,输出功率:29.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC4133S-2