-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
...

低噪声放大器芯片

频率:1-3GHz,增益:15dBm,输出功率:13dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
...

低噪声放大器芯片

频率:1-8GHz,增益:21dBm,输出功率:14dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
...

低噪声放大器芯片

频率:1-12GHz,增益:14.5dBm,输出功率:16dBm,噪声:1.6,射频端口:键合金丝
...

数控移相器芯片

频率:1.6-2GHz,损耗:5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
...

数控移相器芯片

频率:1.6-2GHz,损耗:5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
...

数控衰减器芯片

频率:1-18GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:10,最大衰减:10
...

数控衰减器芯片

频率:1-20GHz,损耗:0.7dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:1.75
...

数控衰减器芯片

频率:1-2GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
...

GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
...

GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
...

无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB
...

无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB
...

无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1.5-4.5GHz,LO/RF隔离度:31dB,变频损耗:8.5dB
...

无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1.5-4.5GHz,LO/RF隔离度:31dB,变频损耗:8.5dB
...

I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:1-2GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
...

带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:1-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:12dB