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最小使用频率
(MHz)
9000~12000
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12500~14500
(16)
15000~17000
(13)
17350~17690
(5)
17700~18000
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-
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最大使用频率
(MHz)
19500~20050
(18)
20090~20500
(4)
21000~22000
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23000~24000
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24100~25000
(7)
-
筛选
特性
带通
(14)
中心频率
(MHz)
15.25~18.7
(3)
20.4~17000
(4)
17750~19000
(4)
20500~21000
(3)
-
筛选
带宽
(MHz)
5.2
(1)
4
(1)
2.7
(1)
9.5
(1)
-
筛选
中心频率插损
(dB)
1~1.1
(8)
1.4~1.5
(2)
2~3
(3)
9~9
(1)
-
筛选
边频最大损耗
(dB)
4
(1)
2
(7)
3.5
(1)
2.5
(1)
-
筛选
接口形式
微带焊盘
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SMP
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薄膜陶瓷
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类别
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类别二
微波单片放大类
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无源
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有源
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极化方式
线极化
(12)
最大增益
(dB)
14~19
(3)
20~21
(4)
22~25
(5)
26~27
(3)
28~29
(3)
-
筛选
输出功率
(dBm)
-4~2.5
(5)
4~6
(8)
6.5~17
(6)
25~30
(4)
-
筛选
耦合度
(dB)
10
(1)
-
筛选
插入损耗
(dB)
8
(2)
3
(1)
0.8
(2)
1.5
(1)
-
筛选
隔离度
(dB)
40
(1)
15
(1)
20
(1)
-
筛选
噪声系数
(dB)
1.1~1.3
(3)
1.4~1.5
(2)
1.6~1.7
(2)
1.8~3
(7)
-
筛选
抑制度
(dB)
40~50
(3)
55~60
(5)
70~80
(3)
-
筛选
功率容量
(W)
1~2
(7)
10~15
(5)
20~30
(5)
-
筛选
天线增益(Typ.)
(dBi)
10
(3)
15
(3)
20
(3)
25
(3)
-
筛选
相位噪声@100KHz
(dBc)
-88
(2)
-90
(3)
-
筛选
插入损耗(不含分配损耗)
(dB)
0.6
(1)
-
筛选
分配路数
(路)
2
(1)
-
筛选
倍频数或分频比
2
(1)
最大衰减
(dB)
40
(1)
-
筛选
LO/RF隔离度
(dB)
16
(2)
5
(1)
27
(2)
42
(1)
-
筛选
变频损耗
(dB)
9.5
(2)
10
(1)
8.5
(2)
7.5
(1)
-
筛选
开关时间
(ns)
20
(1)
-
筛选
开关结构
电子开关
(1)
位数
6
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工作电压
(V)
5
(22)
6
(1)
-
筛选
工作电流
(mA)
0.18~7
(3)
10~13
(6)
14~25
(4)
40~65
(5)
70~520
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筛选
芯片滤波器类别
MEMS滤波器
(3)
带宽类别
1dB带宽
(3)
传统滤波器类别
微带/悬置带线
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筛选项:
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MEMS带通滤波器
频率:17.8-23GHz,中心频率插损:1.1dB
型号:
SIMS20R4/5R2-8D1
低噪声放大器芯片
频率:10-20GHz,增益:14dBm,输出功率:7dBm,噪声:3,射频端口:键合金丝
型号:
NC10209C-1020
低噪声放大器芯片
频率:18-24GHz,增益:19dBm,输出功率:-4dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
型号:
NC10194C-1824
低噪声放大器芯片
频率:18-25GHz,增益:25dBm,输出功率:-1dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
型号:
NC10166C-1825
低噪声放大器芯片
频率:18-25GHz,增益:25dBm,输出功率:-1dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
型号:
NC10166C-1825M
功率放大器芯片
频率:18-22GHz,增益:22dBm,输出功率:25dBm,射频端口:键合金丝
型号:
NC11248C-1822
数控移相器芯片
频率:17-21GHz,损耗:8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
型号:
NC12129C-1721PD
数控移相器芯片
频率:17-21GHz,损耗:8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
型号:
NC12129C-1722SD
电调衰减器芯片
频率:12-22GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
型号:
NC1389C-1222
GaAs PIN 开关芯片
单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
型号:
NC1679C-1220
无源双平衡混频器芯片
单片混频器,频率:10-20GHz,LO/RF隔离度:16dB,变频损耗:9.5dB
型号:
NC1717C-1020
无源双平衡混频器芯片
单片混频器,频率:10-20GHz,LO/RF隔离度:16dB,变频损耗:9.5dB
型号:
NC1717C-1020M
I/Q 混频器芯片
单片混频器,频率:15-23GHz,LO/RF隔离度:5dB,变频损耗:10dB
型号:
NC17105C-1523
带本振驱动双平衡混频器芯片
单片混频多功能电路,频率:18-25GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:8.5dB
型号:
NC17118C-2023
带本振驱动双平衡混频器芯片
单片混频多功能电路,频率:18-25GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:8.5dB
型号:
NC17118C-2023M
GaAs低噪声放大器
频率:12-20GHz,最大增益:18dB,噪声系数:1.8dB,输出功率:17dBm,5V,60mA
型号:
ILA-1220-1.8
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