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MMIC巴伦

频率:0.8-2GHz,中心频率插损:6dB
BWBL-R8/2
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MMIC巴伦

频率:1-2GHz,中心频率插损:4.5dB
BWBL-1/2
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数控衰减器芯片

频率:1-2GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:1-2GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:0.5-2GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:0.5-2GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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QPSK调制器芯片

QPSK调制器,频率:1-2GHz,LO/RF隔离度:dB,变频损耗:dB
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°两路功分器芯片

频率:0.8-2GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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预匹配功率管

频率:0.9GHz-2GHz,增益10dBm,输出功率:48dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:1GHz-2GHz,增益11dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:0.9-2GHz,最大增益12dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:0.8-2GHz,最大增益9dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:1-2GHz,最大增益18dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:1-2GHz,最大增益27dBm