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MEMS带通滤波器

频率:2.25-3.2GHz,中心频率插损:2dB
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MEMS带通滤波器

频率:2.3-3.6GHz,中心频率插损:1.8dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.27-2.29GHz,中心频率插损:2.5dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.23-2.26GHz,中心频率插损:2.5dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.29-2.32GHz,中心频率插损:2dB
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低噪声放大器芯片

频率:2.2-4GHz,增益:32dBm,输出功率:20dBm,噪声:1.2,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.7GHz,增益:17dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.7GHz,增益:12dBm,输出功率:24dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.9GHz,增益:22dBm,输出功率:29dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-4.3GHz,增益:25dBm,输出功率:30dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.3-2.5GHz,增益:26dBm,输出功率:39dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.3-2.5GHz,增益:26dBm,输出功率:39dBm,射频端口:键合金丝
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°电桥芯片

频率:2.2-2.4GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:dB
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预匹配功率管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益13dBm,输出功率:47dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:2.3GHz-2.5GHz,增益12dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:2.3-2.5GHz,最大增益40dBm