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MEMS高通滤波

频率:7.6-20GHz,中心频率插损:1.5dB
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MEMS高通滤波

频率:8-20GHz,中心频率插损:1.5dB
SIMF8H-11E
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MEMS带通滤波器

频率:19.3-20.6GHz,中心频率插损:1.9dB
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低噪声放大器芯片

频率:10-20GHz,增益:14dBm,输出功率:7dBm,噪声:3,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:5-20GHz,增益:22dBm,输出功率:20dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:17-21GHz,损耗:8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:17-21GHz,损耗:8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:6-20GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:10-20GHz,LO/RF隔离度:16dB,变频损耗:9.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:10-20GHz,LO/RF隔离度:16dB,变频损耗:9.5dB
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滤波器芯片

高通频率:5-20GHz,损耗:2dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

高通频率:6-20GHz,损耗:2.5dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器模块

频率:8-20GHz,最大增益9.5dBm
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数控衰减器模块

频率:5-20GHz,最大增益11dBm
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GaAs低噪声放大器

频率:6-20GHz,最大增益:19dB,噪声系数:2dB,输出功率:15dBm,5V,60mA