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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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数控移相器芯片

频率:17-21GHz,损耗:8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:17-21GHz,损耗:8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控衰减器芯片

频率:1-20GHz,损耗:0.7dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:1.75
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:20dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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滤波器芯片

高通频率:4.5-20GHz,损耗:1.9dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

高通频率:5-20GHz,损耗:2dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

高通频率:6-20GHz,损耗:2.5dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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数控衰减器模块

频率:5-20GHz,最大增益11dBm
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滤波器

0-20000MHz低通滤波器,23000-38000MHz≥30dB
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隔离器

17-21GHz隔离器,2.92-K,损耗0.8,隔离15
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滤波器

19.6~20GHz带通滤波器集成隔离器,DC-17.7GHz≥60&25~40GHz≥60dB