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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1646C-120
...

无引线封装微波开关

频率:1-20GHz
NC3619Q-120
...

数控移相器芯片

频率:17-21GHz,损耗:8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
NC12129C-1721PD
...

数控移相器芯片

频率:17-21GHz,损耗:8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
NC12129C-1722SD
...

数控衰减器芯片

频率:1-20GHz,损耗:0.7dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:1.75
NC13122C-120
...

数控衰减器芯片

频率:0-23GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:7.75
NC1367C-123
...

数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.7dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
NC13104C-1923
...

数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC1375C-1923
...

数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC1375C-1923M
...

电调衰减器芯片

频率:12-22GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
NC1389C-1222
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1609C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1624C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:20dB,开关时间:10ns
NC1625C-120
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
NC1679C-1220
...

数控衰减器模块

频率:19-23GHz，最大增益4dBm
NC3318M-1923
...

限幅器芯片

频率:6-22GHz,损耗:1,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
NC1818C-622

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