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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-26GHz,损耗:2dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:20dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:6-20GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:7-25GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:7-25GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:10-20GHz,LO/RF隔离度:16dB,变频损耗:9.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:10-20GHz,LO/RF隔离度:16dB,变频损耗:9.5dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:15-23GHz,LO/RF隔离度:5dB,变频损耗:10dB