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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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低噪声放大器芯片

频率:18-24GHz,增益:19dBm,输出功率:-4dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:18-25GHz,增益:25dBm,输出功率:-1dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:18-25GHz,增益:25dBm,输出功率:-1dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:18-26GHz,增益:22dBm,输出功率:12dBm,噪声:2.3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:18-27GHz,增益:22dBm,输出功率:-2dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:18-27GHz,增益:22dBm,输出功率:-2dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:18-22GHz,增益:22dBm,输出功率:25dBm,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:18-26GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,步进:10,最大衰减:20
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数控衰减器芯片

频率:18-30GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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电调衰减器芯片

频率:18-30GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:18-25GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:8.5dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:18-25GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:8.5dB
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°两路功分器芯片

频率:18-26GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:19dB