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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:18-25GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:8.5dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:18-25GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:8.5dB
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°两路功分器芯片

频率:18-26GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:19dB
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°三路功分器芯片

频率:20-40GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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向耦合器芯片

频率:18-40GHz,损耗:1dB,耦合度:13-15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-40GHz,损耗:1dB,耦合度:13-15dB,射频端口:键合金丝
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无引线封装数控移相/延时器

频率:18.5-23.5GHz,最大增益12dBm
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数控衰减器模块

频率:19-23GHz,最大增益4dBm
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功率分配/合成器模块

频率:18-26GHz,最大增益1.2dBm
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限幅器芯片

频率:18-26GHz,损耗:0.9,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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低噪声放大器

频率:18-32GHz,最大增益:21dB,噪声系数:2.4dB,输出功率:10dBm,3V,52mA
HGC318
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GaAs低噪声放大器

频率:18-23GHz,最大增益:21dB,噪声系数:1.8dB,输出功率:5dBm,5V,40mA
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GaAs低噪声放大器

频率:18-32GHz,最大增益:14dB,噪声系数:2dB,输出功率:6dBm,3.3V,30mA
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双向放大器芯片

频率:21-23GHz,最大增益:24dB,噪声系数:2.7dB,,5V,50mA
HG117FJ
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混频器

频率:18-28GHz,隔离度:35dB
HG125H-1
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低噪声放大器

18-26.5GHz低噪声放大器,增益40,噪声系数3,3.5-K