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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:20dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:90-96GHz,损耗:1.8dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaAs FET开关

频率:0-40GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:52dB,
ISW-0040ST
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:55dB,
HG145KC-1
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射频开关

DC-40000MHz单刀八掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1K82440T
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射频开关

DC-40000MHz单刀八掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1K81240T
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耦合器

30-40GHz双定向耦合器,耦合度20dB,插损2dB,2.92-K
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耦合器

30-40单定向耦合器,耦合度20dB,损耗2dB,2.92-K
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耦合器

26-31GHz耦合器,10dB,30W,2.92-K
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耦合器

17-22GHz耦合器,10dB,SAM-K,30W
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单片均衡器

频率:18-40GHz,插入损耗:1.4dB,接口:键合金丝,均衡量:2dB,
HGC136-2
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单片均衡器

频率:18-40GHz,插入损耗:1.4dB,接口:键合金丝,均衡量:6dB,
HGC136-6