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MEMS带通滤波器

频率:1.75-2.6GHz,中心频率插损:2.4dB
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硅基带通滤波器

频率:1.7-2.9GHz,中心频率插损:1.2dB
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LTCC带通滤波器

频率:1.4-2GHz,中心频率插损:2dB
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MMIC巴伦

频率:0.8-2GHz,中心频率插损:6dB
BWBL-R8/2
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MMIC巴伦

频率:1-2GHz,中心频率插损:4.5dB
BWBL-1/2
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MMIC巴伦

频率:1-2.5GHz,中心频率插损:5.5dB
BWBL-1/2R5
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MMIC巴伦

频率:1.3-3.5GHz,中心频率插损:5.2dB
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低噪声放大器芯片

频率:0.7-3GHz,增益:29dBm,输出功率:18dBm,噪声:1.6,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:0.8-3.5GHz,增益:28dBm,输出功率:12dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:1-3GHz,增益:15dBm,输出功率:13dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:1.6-2GHz,损耗:5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:1.6-2GHz,损耗:5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控衰减器芯片

频率:1-2GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:1-2GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB