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MEMS带通滤波器

频率:2-2.4GHz,中心频率插损:2.2dB
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MEMS带通滤波器

频率:2-3GHz,中心频率插损:2dB
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MEMS带通滤波器

频率:2-4GHz,中心频率插损:1.5dB
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低噪声放大器芯片

频率:2-2.4GHz,增益:28.5dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.05,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:2-4.5GHz,增益:32dBm,输出功率:8dBm,噪声:1.3,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2-3GHz,增益:15dBm,输出功率:28dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:2-2.5GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:2-2.5GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:2-2.5GHz,损耗:5.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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电调衰减器芯片

频率:2-3GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:30
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:2-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:2-3.5GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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°三路功分器芯片

频率:2-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:19dB
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GaN 功率放大器载体

频率:2-4GHz,最大增益8.5dBm