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数控衰减器芯片

频率:1-2GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.3dB,隔离度:50dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-5GHz,最大增益1.5dBm
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开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:50dB,
HG123KF-1
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双工器

双工器频率4.4-4.5&4.7-4.8GHz
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开关

1000-6000MHz单刀双掷开关,SMA-K
TSS537
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双工器

双工器频率2500-2570&2620-2690MHz,SMA-K
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双工器

双工器频率2300-24852570-2620MHz
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双工器

2300-2400MHz同频段带阻带通双工器,吸收式带阻滤波器,用于基站测试
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全正电,匹配式 SPT

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,
HGC1021
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单刀四掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:40dB,
HGC1009LP4
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单刀四掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:40dB,
HGC1010LP4
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单刀八掷

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,
HGC1021LP4
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数控衰减器芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,
HGC2005