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低噪声放大器芯片

频率:19-23GHz,增益:23dBm,输出功率:10dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:19-25GHz,增益:26dBm,输出功率:12dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:19-26GHz,增益:29dBm,输出功率:12dBm,噪声:2.5,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:19-22GHz,增益:23dBm,输出功率:23dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:19-23GHz,增益:21dBm,输出功率:25dBm,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.7dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:19-27GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:10dB