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内匹配功率管

频率:1.8GHz-2.3GHz,增益14.5dBm,输出功率:40.5dBm,射频端口:贴装焊接
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MEMS带通滤波器

频率:2-2.4GHz,中心频率插损:2.2dB
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LTCC低通滤波器

频率:0-2.3GHz
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FBAR封装滤波器

频率:2.17-2.2GHz,中心频率插损:2.5dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.27-2.29GHz,中心频率插损:2.5dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.23-2.26GHz,中心频率插损:2.5dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.19-2.21GHz,中心频率插损:1.5dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.29-2.32GHz,中心频率插损:2dB
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FBAR滤波器芯片

频率:2.17-2.2GHz,中心频率插损:2.5dB
FBF2185U30
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低噪声放大器芯片

频率:2-2.4GHz,增益:28.5dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.05,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:1.9-2.4GHz,增益:28dBm,输出功率:33dBm,射频端口:键合金丝
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1.9-2.2GHz,LO/RF隔离度:32dB,变频损耗:9dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:1.9-2.2GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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QPSK调制器芯片

QPSK调制器,频率:2.1-2.4GHz,LO/RF隔离度:dB,变频损耗:dB
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°电桥芯片

频率:1.4-2.4GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.3dB,隔离度:10dB
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°电桥芯片

频率:2.2-2.4GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:dB