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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0.5-4GHz,最大增益1dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0.5-4GHz,最大增益1.2dBm
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均衡器芯片

频率:0.1-3GHz,损耗:0.7dB,均衡量:9.5dB
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均衡器芯片

频率:1.3-2.3GHz,损耗:0.9dB,均衡量:3.3dB
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耦合器

1000-6000MHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K,功率容量50W
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耦合器

500-2700MHz耦合器,耦合度40dB,N-K,功率容量100W
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耦合器

1000-6000MHz定向耦合器,耦合度10dB,SMA-K,50W
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,工作电压28V,开关时间15mS
1S22806
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射频开关

DC-3000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15mS
1S21203
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15mS
1S21206
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15mS
1S21206T
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射频开关

DC-3000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15mS
1S21203T
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射频开关

DC-3000MHz双刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间20mS
2S22403T
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射频开关

DC-6000MHz双刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间20mS
2S22406T
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射频开关

DC-3000MHz双刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间20mS
2S21203T