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MEMS带通滤波器

频率:3.75-4.45GHz,中心频率插损:2dB
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低噪声放大器芯片

频率:4-7GHz,增益:14dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.6,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:4-8GHz,增益:14dBm,输出功率:14dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:4-8GHz,增益:22dBm,输出功率:7dBm,噪声:1.2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:4-8GHz,增益:25dBm,输出功率:13dBm,噪声:1.4,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:3-5GHz,增益:25dBm,输出功率:28dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:3-5.3GHz,增益:23dBm,输出功率:23dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:4-7GHz,损耗:0.3dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:3-8GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:8.5dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3-6.5GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:7dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3.9-6.2GHz,LO/RF隔离度:18dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:4-5.5GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:9dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:3-6GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:3-6GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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°电桥芯片

频率:3-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:18dB
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°电桥芯片

频率:4-8GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:16dB