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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:55dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.3dB,隔离度:50dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50dB,开关时间:20ns
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0.5-4GHz,最大增益1.2dBm
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耦合器

2000-8000MHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K
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频分器

频分器频率7GHz-14GHz&15.4GHz-40GHz
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单刀四掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:40dB,
HGC1009LP4
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单刀六掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:50dB,
HGC1013LP4