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MEMS带通滤波器

频率:17.8-23GHz,中心频率插损:1.1dB
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低噪声放大器芯片

频率:19-23GHz,增益:23dBm,输出功率:10dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:18.5-23GHz,增益:22dBm,输出功率:33dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:19-23GHz,增益:21dBm,输出功率:25dBm,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:0-23GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:7.75
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数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.7dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:15-23GHz,LO/RF隔离度:5dB,变频损耗:10dB
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数控衰减器模块

频率:19-23GHz,最大增益4dBm
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GaAs低噪声放大器

频率:18-23GHz,最大增益:21dB,噪声系数:1.8dB,输出功率:5dBm,5V,40mA
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双向放大器芯片

频率:21-23GHz,最大增益:24dB,噪声系数:2.7dB,,5V,50mA
HG117FJ