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-
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筛选项:
...

MEMS带通滤波器

频率:2.38-2.9GHz,中心频率插损:2dB
SIMF2R65/R3-6D2
...

FBAR封装滤波器

频率:2.45-2.47GHz,中心频率插损:2.5dB
FBF2460U20-S3F
...

FBAR封装滤波器

频率:2.29-2.32GHz,中心频率插损:2dB
FBF2300U30-S3F
...

FBAR封装滤波器

频率:2.39-2.41GHz,中心频率插损:2dB
FBF2400U20-S3F
...

功率放大器芯片

频率:2.2-2.7GHz,增益:17dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
NC11137C-2227
...

功率放大器芯片

频率:2.2-2.7GHz,增益:12dBm,输出功率:24dBm,射频端口:键合金丝
NC11136C-2227A
...

功率放大器芯片

频率:2.2-2.9GHz,增益:22dBm,输出功率:29dBm,射频端口:键合金丝
NC11238C-2229
...

功率放大器芯片

频率:2.3-2.5GHz,增益:26dBm,输出功率:39dBm,射频端口:键合金丝
NC11648C-2325P8
...

功率放大器芯片

频率:2.3-2.5GHz,增益:26dBm,输出功率:39dBm,射频端口:键合金丝
NC11648C-2325P8M
...

°电桥芯片

频率:2.2-2.4GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:dB
NC6537C-2224
...

预匹配功率管

频率：2.3GHz-2.3GHz,增益13dBm，输出功率:47dBm,射频端口:贴装焊接
NC41614S-2P50
...

内匹配功率管

频率：2.3GHz-2.5GHz,增益12dBm，输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
NC41623S-2325P100
...

GaN 功率放大器载体

频率:2.3-2.5GHz，最大增益40dBm
NC31603MC-2325P100
...

GaAs 功率场效应晶体管

频率：2.3GHz-2.3GHz,增益13.5dBm，输出功率:29.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC4133S-2
...

GaAs 功率场效应晶体管

频率：2.3GHz-2.3GHz,增益11.5dBm，输出功率:31.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC4142S-2
...

GaAs 功率场效应晶体管

频率：2.3GHz-2.3GHz,增益11.5dBm，输出功率:35.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC41160S-2

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