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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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°电桥芯片

频率:1.4-2.4GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.3dB,隔离度:10dB
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°两路功分器芯片

频率:0.8-4GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.1dB,隔离度:14dB
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°两路功分器芯片

频率:1-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:14dB
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°三路功分器芯片

频率:0.8-2.7GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0.5-4GHz,最大增益1dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0.5-4GHz,最大增益1.2dBm
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无引线封装数控衰减器

频率:0.2-3GHz,最大增益3dBm
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均衡器芯片

频率:1.3-2.3GHz,损耗:0.9dB,均衡量:3.3dB
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功分器

300-6000MHz八路0°功分器,SMA-K
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功分器

500-4000MHz八路0°功分器,SMA-K
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功分器

500-4000MHz,两路0°功分器,SMA-K
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功分器

400-6000MHz四路0°功分器,SMA-K
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功分器

500-6000MHz两路0°功分器,SMA-K