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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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°两路功分器芯片

频率:34-36GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:17dB
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°两路功分器芯片

频率:40-50GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:18dB
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滤波器芯片

带通频率:34-36GHz,损耗:2.9dB,抑制度:33dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

带通频率:34-36GHz,损耗:2.9dB,抑制度:31dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

带通频率:34-37GHz,损耗:2.8dB,抑制度:40dB,射频端口:键合金丝
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数控衰减器模块

频率:34-36GHz,最大增益5.5dBm
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倍频器芯片

频率:34-36GHz,,倍频比:4,键合金丝
IML-3436-4
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功率放大器芯片

频率:34-37GHz,最大增益:14dB,输出功率:28dBm,5V,0.53mA
HG138F-4
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滤波器

33.8-36.2GHz带通滤波器,≥50dBc@38-50GHz&≥50dBc@DC-32GHz
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滤波器

41.75-42.25GHz带通滤波器,20-39GHz≥60dB
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滤波器

34-36GHz带通滤波器,DC-32.4445GHz≥60&38.5-40GHz≥60dB
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滤波器

36.5-45GHz带通滤波器,15-23.5GHz≥60dB