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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns

30-40GHz双定向耦合器，耦合度20dB，插损2dB，2.92-K

30-40单定向耦合器，耦合度20dB，损耗2dB，2.92-K

22-40GHz射频开关，单刀双掷，损耗3dB，隔离60dB，2.92-K

26-31GHz耦合器，10dB，30W，2.92-K

频率:26-40GHz,插入损耗:2.2dB,接口:键合金丝,均衡量:4.5dB,

品牌	中电科十三所 (17) 康迈微 (4) 中科海高 (1)
最小使用频率(MHz)	18000~20000 (6) 21000~22000 (3) 24000~25000 (3) 26000~30000 (8) 32000~40000 (2)	-
最大使用频率(MHz)	24000~26000 (2) 27000~28000 (2) 30000~31000 (5) 32000~36000 (2) 40000~50000 (11)	-
接口形式	2.92 (4)
类别	集成数控衰减器 (9) 电调衰减器 (1) 单刀单掷 (1) 单刀双掷 (4) 单刀三掷 (1) 反射式 (1) 均衡器 (1)
类别二	微波单片控制类 (1)
耦合度(dB)	20 (2) 10 (1)	-
插入损耗(dB)	1.6~1.8 (4) 2~2.2 (8) 2.5~3 (10)	-
隔离度(dB)	25~32 (3) 37~38 (2) 40~60 (2)	-
功率容量(W)	2 (17) 30 (3) 0.1 (1)	-
均衡量(dB)	4.5 (1)	-
步进(d)	20 (1) 30 (2) 10 (1) 5 (1) 0.5 (4)
分配路数(路)	2 (2)	-
最大衰减(dB)	20 (2) 30 (3) 7.5 (1) 15.5 (3) 40 (1)	-
开关结构	电子开关 (6)
开关时间(ns)	10 (6) 200 (1)	-