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MEMS带通滤波器

频率:2-2.4GHz,中心频率插损:2.2dB
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低噪声放大器芯片

频率:2-2.4GHz,增益:28.5dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.05,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:1.9-2.4GHz,增益:28dBm,输出功率:33dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.3-2.5GHz,增益:26dBm,输出功率:39dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.3-2.5GHz,增益:26dBm,输出功率:39dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:2-2.5GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:2-2.5GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:2-2.5GHz,损耗:5.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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QPSK调制器芯片

QPSK调制器,频率:2.1-2.4GHz,LO/RF隔离度:dB,变频损耗:dB
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°电桥芯片

频率:2.2-2.4GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:dB
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内匹配功率管

频率:2.3GHz-2.5GHz,增益12dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:2.3-2.5GHz,最大增益40dBm
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GaAs 内匹配功率管

频率:2.2GHz-2.4GHz,增益13.5dBm,输出功率:42dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:2.2GHz-2.4GHz,增益13.5dBm,输出功率:38.5dBm,射频端口:贴装焊接