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GaN 功率放大器载体

频率:2.7-3.5GHz,最大增益11dBm
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:2.4GHz-2.4GHz,增益11.5dBm,输出功率:36.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC4128S-2
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GaAs 内匹配功率管

频率:3.1GHz-3.5GHz,增益11.5dBm,输出功率:35.5dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:3.6GHz-4GHz,增益11.5dBm,输出功率:35.5dBm,射频端口:贴装焊接
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低噪声放大器芯片

频率:2-4GHz,最大增益:11dB,噪声系数:4dB,输出功率:14dBm,5V,30mA
HG113FW
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中功率放大器芯片

频率:2-4.2GHz,最大增益:11dB,输出功率:24.5dBm,5V,0.17mA
HG123F3