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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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限幅器芯片

频率:1.5-4.5GHz,损耗:0.5,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:2-6GHz,损耗:0.5,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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隔离器

1.9-2.4GHz同轴隔离器,SMA-K,功率10W,损耗0.5,隔离度20
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隔离器

1.7-2.6GHz隔离器,SMA-K,隔离17,损耗0.5
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反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:45dB,
HGC114-4D
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限幅器芯片

频率:4-6.5GHz,插入损耗:0.5dB,接口:键合金丝,尺寸:2×1.5mm
HG124X4