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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-26GHz,损耗:2dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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耦合器

30-40GHz双定向耦合器,耦合度20dB,插损2dB,2.92-K
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耦合器

30-40单定向耦合器,耦合度20dB,损耗2dB,2.92-K
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反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:35dB,
HGC124
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开关芯片

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HG127KC
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开关芯片

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:38dB,1.49*1.10mm×mm
SIS029