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MEMS带通滤波器

频率:25.17-25.57GHz,中心频率插损:2.8dB
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低噪声放大器芯片

频率:18-25GHz,增益:25dBm,输出功率:-1dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:18-25GHz,增益:25dBm,输出功率:-1dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:18-26GHz,增益:22dBm,输出功率:12dBm,噪声:2.3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:19-25GHz,增益:26dBm,输出功率:12dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:19-26GHz,增益:29dBm,输出功率:12dBm,噪声:2.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:22-26GHz,增益:23dBm,输出功率:10dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:24.5-26GHz,增益:25dBm,输出功率:23dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:25-26GHz,增益:21dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:18-26GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,步进:10,最大衰减:20
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:18-25GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:8.5dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:18-25GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:8.5dB
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°两路功分器芯片

频率:18-26GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:19dB
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功率分配/合成器模块

频率:18-26GHz,最大增益1.2dBm
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限幅器芯片

频率:18-26GHz,损耗:0.9,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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滤波器

21-25GHz带通滤波器,10.5-12.5GHz≥60&31.5GHz≥60&37.5GHz≥60dB