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MEMS带通滤波器

频率:1.75-2.6GHz,中心频率插损:2.4dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.49-2.5GHz,中心频率插损:4dB
FBF2492T8
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FBAR滤波器芯片

频率:2.49-2.5GHz,中心频率插损:5dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.55-2.57GHz,中心频率插损:2.5dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.48-2.5GHz,中心频率插损:2dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.48-2.53GHz,中心频率插损:2dB
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功率放大器芯片

频率:2.3-2.5GHz,增益:26dBm,输出功率:39dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.3-2.5GHz,增益:26dBm,输出功率:39dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:2-2.5GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:2-2.5GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:2-2.5GHz,损耗:5.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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内匹配功率管

频率:2.3GHz-2.5GHz,增益12dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:2.3-2.5GHz,最大增益40dBm
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GaAs 内匹配功率管

频率:2.3GHz-2.5GHz,增益14dBm,输出功率:42dBm,射频端口:贴装焊接