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MEMS带通滤波器

频率:1.75-2.6GHz,中心频率插损:2.4dB
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MEMS带通滤波器

频率:2-3GHz,中心频率插损:2dB
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MEMS带通滤波器

频率:2.38-2.9GHz,中心频率插损:2dB
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MEMS带通滤波器

频率:2.25-3.2GHz,中心频率插损:2dB
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硅基带通滤波器

频率:1.7-2.9GHz,中心频率插损:1.2dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.48-2.53GHz,中心频率插损:2dB
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功率放大器芯片

频率:2-3GHz,增益:15dBm,输出功率:28dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.1-2.7GHz,增益:29dBm,输出功率:31dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.1-2.7GHz,增益:23dBm,输出功率:33dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.7GHz,增益:17dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.7GHz,增益:12dBm,输出功率:24dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.9GHz,增益:22dBm,输出功率:29dBm,射频端口:键合金丝
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电调衰减器芯片

频率:2-3GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:30
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:2-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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°三路功分器芯片

频率:2-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:19dB
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:2.3-2.8GHz,最大增益32dBm