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硅基带通滤波器

频率:1.7-2.9GHz,中心频率插损:1.2dB
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MMIC巴伦

频率:1.3-3.5GHz,中心频率插损:5.2dB
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低噪声放大器芯片

频率:1-3GHz,增益:15dBm,输出功率:13dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:1-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:12dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:1-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:12dB
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°两路功分器芯片

频率:1-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:14dB
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:1-3GHz,最大增益15dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:1-4GHz,最大增益15dBm
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表面贴装无源双平衡混频器

频率:1-4GHz,最大增益11dBm
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双向放大器芯片

频率:1.5-4GHz,最大增益:13.5dB,噪声系数:2.9dB,,5V,67mA
HG113F1
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隔离器

1.6-2.9GHz隔离器,SMA-K,损耗0.8,隔离15,功率10W
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隔离器

1.7-2.6GHz隔离器,SMA-K,隔离17,损耗0.5
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滤波器

1400-2800MHz带通滤波器,≥50dBc@DC-100MHz&≥50dBc@4100-6000MHz