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MMIC延时线

频率:0.8-4GHz,中心频率插损:14dB
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低噪声放大器芯片

频率:0.7-3GHz,增益:29dBm,输出功率:18dBm,噪声:1.6,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:0.8-3.5GHz,增益:28dBm,输出功率:12dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:1-3GHz,增益:15dBm,输出功率:13dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:1-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:12dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:1-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:12dB
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°两路功分器芯片

频率:0.8-4GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.1dB,隔离度:14dB
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°两路功分器芯片

频率:1-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:14dB
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°三路功分器芯片

频率:0.8-2.7GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:0.8-3.5GHz,最大增益24dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:1-3GHz,最大增益15dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:1-4GHz,最大增益15dBm