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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-18GHz,损耗:1.2dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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数控衰减器芯片

频率:1-18GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:10,最大衰减:10
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:1.6dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:3.75
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电调衰减器芯片

频率:2-3GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:30
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0.5-4GHz,最大增益1dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0.5-4GHz,最大增益1.2dBm
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均衡器芯片

频率:2-12GHz,损耗:0.94dB,均衡量:2.4dB
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均衡器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1.4dB,均衡量:3.5dB
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均衡器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1.4dB,均衡量:2dB
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耦合器

1000-6000MHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K,功率容量50W
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耦合器

2000-8000MHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K
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耦合器

2000-8000MHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

2000-800MHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

1-10GHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

1000-6000MHz定向耦合器,耦合度10dB,SMA-K,50W