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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:24dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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°两路功分器芯片

频率:18-26GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:19dB
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°两路功分器芯片

频率:26-31GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:20dB
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°两路功分器芯片

频率:34-36GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:17dB
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°三路功分器芯片

频率:20-40GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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滤波器芯片

带通频率:34-36GHz,损耗:2.9dB,抑制度:33dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

带通频率:34-36GHz,损耗:2.9dB,抑制度:31dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

带通频率:34-37GHz,损耗:2.8dB,抑制度:40dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-40GHz,损耗:1dB,耦合度:13-15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-40GHz,损耗:1dB,耦合度:13-15dB,射频端口:键合金丝
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无引线封装数控移相/延时器

频率:18.5-23.5GHz,最大增益12dBm
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数控移相器模块

频率:15-17GHz,最大增益9dBm