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数控移相器芯片

频率:6-18GHz,损耗:0.6dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:0.55dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1.75
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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限幅器芯片

频率:6-18GHz,损耗:0.5,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:8-11GHz,损耗:0.35,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:8-12GHz,损耗:0.6,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:8.5-12GHz,损耗:0.45,限幅电平:14dB,|射频端口连接:键合金丝
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均衡器芯片

频率:6-14GHz,损耗:0.55dB,均衡量:6dB
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隔离器

9200-9600MHz隔离器,微带针接口
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隔离器

8600-9600MHz隔离器,SMA-K,5W
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限幅器芯片

频率:6-18GHz,插入损耗:0.3dB,接口:键合金丝,尺寸:1×0.6mm
HG126X4
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限幅器芯片

频率:6-18GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,尺寸:1×0.6mm
HG126X7
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限幅器芯片

频率:8.5-11.5GHz,插入损耗:0.7dB,接口:键合金丝,尺寸:1.7×1.4mm
HG125X3
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限幅器芯片

频率:8.5-11.5GHz,插入损耗:0.6dB,接口:键合金丝,尺寸:1.7×1.2mm
HG125X2
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GaAs限幅器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗:0.45dB,接口:键合金丝,芯片尺寸:1.55*0.72*0.1
AMLM0001S
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GaAs限幅器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗:0.55dB,接口:键合金丝,芯片尺寸:1.92*1.04*0.1
AMLM0003S